又多寓图2（a）器件单次SIG调控后在不同温度下的时间-电流特性曲线。
理由（f）最近报道的20种全无机CsPbIBr2基pero-SCs或ISCs的Jsc和PCE的统计图。重铸的BHJ薄膜不仅可以实现顶部富集供体组分，住高而且可以微调组分的分子方向。
有机半导体材料（OSMs）具有可调能级/带隙、又多寓低固有缺陷等优点，又多寓因此，利用OSMs或许可以提高全无机CsPbIBr2的质量并扩展其吸收光谱，从而提升相应器件的效率和稳定性。因此，理由亟需探索基于CsPbIBr2的高性能pero-SCs的研究领域。住高（b）ITO/Cl-TiO2/CsPbIBr2/PBDB-T/BT2b/MoO3/Al。
又多寓（e）涂有BHJ-2或BHJ-2-RC的CsPbIBr2钙钛矿膜的XRD图谱。其中，理由PCE是已报道的CsPbIBr2基pero-SCs中最高的。
基于CsPbIBr2/BHJ-2-RC薄膜的ISCs具有最丰富的PBDB-T空间分布，住高可以显着抑制界面电荷载流子的复合，并改善集成的两个光敏层中的双极性电荷传输行为。
（b）CsPbIBr2、又多寓BHJ-1和BHJ-2薄膜的归一化吸收光谱和AM1.5G光谱。（F）用不同处理孵育6h后，理由KB细胞的耗氧量。
【小结】综上所述，住高作者开发了一种通过过渡激活自噬作用来克服PDT中的不足。又多寓（C）与凋亡表达相关的15个关键基因分析的热图。
（K）H＆E染色后，理由各组肺组织转移灶的组织学检查。目前，住高大多数研究集中在通过将H2O2分解为O2或直接输送O2来增加O2的供应。